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論文

Interplay between oxidized monovacancy and nitrogen doping in graphene

Hou, Z.*; Shu, D.-J.*; Chai, G.-L.*; 池田 隆司; 寺倉 清之*

Journal of Physical Chemistry C, 118(34), p.19795 - 19805, 2014/08

https://doi.org/10.1021/jp504298p
 被引用回数：11 パーセンタイル：35.66(Chemistry, Physical)

非貴金属触媒やナノ電子デバイス材料として注目されている窒素ドープグラフェンには、多くの場合、窒素量と同程度かそれ以上の酸素が含まれている。我々は、グラフェンの単空孔は複空孔やストーンウェルズ欠陥よりもしばしば観察され、より化学的に活性であることから、酸化単空孔と窒素ドーパントの相互作用を密度汎関数計算により調べた。温度と酸素、水素ガスの分圧の関数として窒素未ドープ酸化単空孔と窒素ドープ酸化単空孔の相図を求めた。また単空孔の酸化と窒素ドープによる電子構造の変化を調べた。我々の計算結果からエーテル基が酸化単空孔での安定構造に共通して存在し、ほとんどの安定構造ではキャリアがドープされないことがわかった。

論文

O 2$$p$$ hole-assisted electronic processes in the Pr$$_{1-x}$$Sr$$_{x}$$MnO$$_{3}$$ (x=0.0, 0.3) system

Ibrahim, K.*; Qian, H. J.*; Wu, X.*; Abbas, M. I.*; Wang, J. O.*; Hong, C. H.*; Su, R.*; Zhong, J.*; Dong, Y. H.*; Wu, Z. Y.*; et al.

Physical Review B, 70(22), p.224433_1 - 224433_9, 2004/12

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.224433
 被引用回数：30 パーセンタイル：75.04(Materials Science, Multidisciplinary)

プラセオジム,ストロンチウム,マンガン酸化物が巨大磁気抵抗を持つ要因を明らかにするため、二種の組成の酸化物(Pr$$_{1-x}$$Sr$$_{x}$$MnO$$_{3}$$(x=0.0, 0.3))について、酸素K-吸収端のX線吸収スペクトル(XAS)及びO 1$$s$$2$$p$$2$$p$$共鳴オージェ電子スペクトル(AES)を測定した。XAS, AESスペクトル双方の結果から、Pr$$_{1-x}$$Sr$$_{x}$$MnO$$_{3}$$にホールをドープすると、酸素2$$p$$軌道のホールの状態密度が増加することがわかった。これはSr$$^{2+}$$をドープしてMn$$^{4+}$$を増加させるなどのホールドープにより、ホールがMn 3$$d$$軌道の$$e$$$$_{g}$$状態から酸素の2$$p$$軌道に移ることを意味している。これらの結果から、酸素2$$p$$軌道に存在するホールが巨大磁気抵抗などの電子物性を決定する重要な要因であることを明らかにした。

論文

Formation of TiO$$_{2-x}$$F$$_{x}$$ compounds in fluorine-implanted TiO$$_{2}$$

八巻 徹也; 住田 泰史; 山本 春也

Journal of Materials Science Letters, 21(1), p.33 - 35, 2001/01

https://doi.org/10.1023/A:1014282225859
 被引用回数：90 パーセンタイル：90.97(Materials Science, Multidisciplinary)

本研究では、TiO$$_{2}$$ルチル単結晶に対する200 keV Fイオン注入とその後の熱アニールの効果について調べた。注入試料を573K及び873K,各5時間,等時アニールすることによって、飛程付近の照射損傷は消失しTiO$$_{2}$$本来の結晶構造がほぼ回復した。このアニールプロセスと同時に、注入されたFが表面へ優先的に拡散することがわかった。アニール後の試料に対するX線光電子分光スペクトルを解析することによって、高濃度にFドープされたTiO$$_{2-x}$$F$$_{x}$$ (x=0.0039)が表面に形成されていることが明らかになった。

論文

JRR-4の新たなる出発

海江田 圭右

放射線と産業, (81), p.42 - 45, 1999/00

http://ci.nii.ac.jp/naid/40004433069

JRR-4は、濃縮度低減化計画のもとに、高濃縮ウランから低濃縮ウランに変更したシリサイド燃料で炉心を構成するとともに、施設の安全強化、利用設備の新設・改造工事を行って、新しいJRR-4に生まれ変わった。低濃縮化にあたっては、燃料の寸法・形状は変更せず、ウラン燃料のみを現在のUAlからU$$_{3}$$Si$$_{2}$$に変えるものである。施設の安全強化として、原子炉建家の耐震補強、屋根の更新、燃料モニターの設置、非常用排気設備の新設、計測制御系統設備の全面的更新等を行った。利用設備については、悪性脳腫瘍のためのBNCT照射設備の新設、即発$$gamma$$線分析装置の新設、短半減期(1分程度)核種分析用に気送管装置の改造、大口径(約直径15cm)シリコン照射のための照射孔の改造等を行った。

論文

Disruption and sputtering erosions on SiC doped CFC

中村 和幸; 鈴木 哲; 大楽 正幸; 横山 堅二; 奥村 義和; 鈴木 隆之*; 神保 龍太郎*; Bandourko, V.*; 秋場 真人

Journal of Nuclear Materials, 258-263, p.828 - 832, 1998/00

https://doi.org/10.1016/S0022-3115(98)00118-4
 被引用回数：4 パーセンタイル：38.63(Materials Science, Multidisciplinary)

ITER用ダイバータアーマータイル材として有望な高熱電導炭素強化複合材(CFC材)のスパッタリング収率低減化を目的として、新たに炭化珪素含有CFC材が開発された。新材料で製作したダイバータアーマータイルの寿命を評価するため、ディスラプション及びスパッタリングによるこの材料の損耗特性を実験的に調べた。その結果、ディスラプションによる損耗特性を劣化させずに、スパッタリングによる損耗特性が改善されていることが確認され、実機適用に関して明るい見通しが得られた。本講演では、これら一連の損耗特性評価試験について報告する。

報告書

中性子照射によるシリコンドーピング

堀口 洋二; 梅井 弘

JAERI-M 86-002, 31 Pages, 1986/02

JAERI-M-86-002.pdf:0.91MB

シリコン単結晶に中性子を照射し リンをドレ-ププする。NTD法は、次の核反応により行われる.$$^{3}$$$$^{0}$$Si(u,r)$$^{3}$$$$^{1}$$Si$$rightarrow$$$$^{3}$$$$^{1}$$P+$$beta$$$$^{-}$$ この方法は、シリコン中にリンが均一にド-プされるため、シリコン半導体製造の一分野として現在、各国において用いられている。原研においては、1975年より研究を開始し1977年7月より実用照射を行っている。本報告は、原研における過去10年間の研究開発とド-ピング技術についてまとめたものである。

論文

半導体シリコンの中性子ドーピング技術

山本 章; 八剣 達雄*

原子力工業, 25(1), p.65 - 69, 1979/00

http://ci.nii.ac.jp/naid/40001071500

シリコンを中性子照射してリンをドーピングする技術は1977年には実用段階に入り、主に大電力用素子の生産に用いられている。そして今やこのNTDシリコンは、世界の主要研究炉で照射され、生産されており、その抵抗率分布が均一であるという優れた特性によって市場を拡大している。NTDの技術は、半導体産業が原子力技術を生産に応用した点で画期的であり、また中性子による核変換によって生成した安定核種に着目する点でユニークである。この報告は、NTDの原理開発の歴史、在来法との比較、そして原子炉による照射技術について概観したものである。

論文

半導体シリコンの中性子照射によるドープ技術

山本 章

Radioisotopes, 26(11), P. 1772, 1977/11

半導体シリコンを原子炉で照射することによって、リンをドープする技術が開発され、NTDシリコンの生産が開始された。このドープ技術は、1961年にM.Tanenbaun等が最初の詳細な実験結果を発表しがた、約10年間は生産に適用されることなく忘れられた。しかし、半導体シリコンおよびその素子の生産技術が発達し、素子の性能および経済性に関する強い要求が高まり、1973年以来このドープ法が再評価され、生産を指向した実験がなされた。中性子照射によるドープ法は、シリコン中に同位体として存在する$$^{3}$$$$^{0}$$Siが(n,$$gamma$$)反応によって$$^{3}$$$$^{1}$$Siに変換され、これが$$beta$$崩壊して安定な$$^{3}$$$$^{1}$$Pに変換することを利用して、シリコン中にリンの必要量を均一にドープする方法である。本稿は、日本アイソトープ協会のRADIOISOTOPESの文献紹介欄に、文献紹介をかねて、このドープ技術の概要を執筆したものである。

口頭

癌治療用BNCT装置ターゲット部のin-situ真空蒸着/イオン注入法による窒化に関する研究

石山 新太郎

no journal, , 

$$^{7}$$Li(p, n)$$^{7}$$Be反応を利用したBNCT用ターゲット装置出力のハイパワーアップ化に伴う中性子照射によるブリスタリングやLiの蒸発損耗を防止するためLiターゲット表面を部分窒化させ高融点Li$$_{3}$$N(融点1086K)を合成させたターゲットモデルを提案しており、本研究では低温・低圧N$$_{2}$$ガス環境下においてLi表面を直接窒化合成するための条件の検討ならびに窒化された多層構造ターゲットの化学状態を調べるためXPS(in-situ X-ray photoelectron spectroscopy)による計測も実施した結果下記成果を得た。(1)Li表面で2765-548Kの温度処理により窒化が生じている。(2)窒化の反応速度は15mass%/min程度を評価された。(3)Li融点近傍までの加熱においてLi$$_{3}$$Nの酸素汚染物質の乖離が観察された。

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